公众号
公众号二维码 扫一扫,关注微信公众号
您的位置: 首页 > 新闻 > 硬件周边 > 正文

ASML瞄准下一代Hyper-NA EUV技术 2030年左右提供新的光刻设备

发布时间:2024-06-15
作者: 零六游戏
浏览:
加入收藏次)
猫三国

近年来,ASML站到了世界半导体技术的中心位置,成为了先进半导体生产供应链的关键一环。目前ASML有序地执行其路线图,在EUV之后是High-NA EUV技术,去年末已向英特尔交付了业界首台High-NA EUV光刻机。虽然业界才刚刚准备迈入High-NA EUV时代,但是ASML已经开始对下一代Hyper-NA EUV技术进行研究,寻找合适的解决方案。

ASML瞄准下一代Hyper-NA EUV技术 2030年左右提供新的光刻设备

据外媒报道,ASML公布了下一代Hyper-NA EUV技术路线图,目前仍处于开发的早期阶段。前ASML首席技术官Martin van den Brink在今年5举行的imec ITF World的演讲中表示,从长远来说需要改进照明系统,必须采用Hyper-NA,同时还需要将所有系统的生产效率提升至每小时400到500片晶圆。

ASML计划在2030年左右提供Hyper-NA EUV光刻机,数值孔径将达到0.75。相比之下,High-NA EUV提供的数值孔径为0.55,EUV则是0.33,随着精度的进一步提高,可实现更高分辨率的图案化及更小的晶体管特征。对ASML而言,未来Hyper-NA技术还将推动其整体EUV能力平台,以改善成本和交付周期。

Hyper-NA技术肯定会带来一些新的挑战,比如光刻胶,需要变得更薄。按照imec高级图案化项目总监Kurt Ronse的说法,High-NA EUV应该可以覆盖2nm到1.4nm,再到1nm甚至0.7nm的制程节点。在那之后,Hyper-NA EUV将开始接管。

免责声明:我们致力于保护作者版权,注重分享,被刊用文章【本页文章内容】因无法核实真实出处,未能及时与作者取得联系,或有版权异议的,请联系零六找游戏管理员,我们会立即处理!
加载中~